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HME-P3 系列 FPGA 集成了高性能 Cortex-M3 MCU、外围设备与片上 SRAM 等功能模块。作为高性能器件，HME-P3 系列可广泛应用于高性能实时运动控制和图像处理等多种领域，支持高带宽 MIPI 和 LVDS 接口，特别适合嵌入式视觉应用及工业控制等方面，如工业相机、伺服驱动等。
通过使用 HME-P3 系列可配置的软核 IP、硬核 IP 和 MCU 及外设，设计者可以更加专注自身应用设计，高效快速使产品面市。
HME-P3 系列 FPGA 特性
基于 SRAM 的 FPGA 架构
多达70K的6输入查找表，等价于110K逻辑单元
多达139,200的 DFF 寄存器
嵌入式存储模块
720个9Kb 可编程双端口DPRAM，共6,480Kb
嵌入式DSP模块
360个18*18 DSP（MAC）模块
或 1440个10*10 DSP（MAC）模块
时钟网络
32个de-skew全局时钟
1个OSC，频率精度±5%
13个PLL
系统内动态时钟管理
I/O
3.3/2.5/1.8/1.5/1.2V LVTTL/LVCMOS 常规 I/O
可编程源同步 I/O
MIPI D-PHY、LVDS Rx、LVDS Tx、BLVDS
LVDS I/O 速率高达1,200Mb/s
MCU
ARM Cortex-M3 MCU
32位高性能处理器，频率高达200MHz
出色的快速中断处理性能
强化断点和跟踪调试系统
高效处理器核心、系统和存储
集成睡眠模式
外设
2个计时器
1个看门狗计时器
3个 UART 接口
3个 I2C 接口
3个 SPI 接口
2个32位 GPIO
1个 DMA
存储
嵌入式 SRAM 模块
2个4K*32位 SRAM，总计32KB
DDR3/4 LP DDR3/4 接口
最高可达2,133Mbps
32b 数据位宽
4个128b AXI 端口
32/16位内联式 ECC 或16位
配置
配置模式
JTAG 模式
AS 模式
PS 模式
MCU 模式
在系统内配置
efuse
128-bit eFuse
封装
FBGA676
VFBGA324
| 器件型号 | P3P100 | |
| 可编程逻辑块(PLB) | Logic cells (K) | 110 |
| LUT6 | 69,600 | |
| Register | 139,200 | |
| 嵌入式存储模块(EMB) | 9Kb | 720 |
| Max (Kb) (1) | 6,480 | |
| 分布式存储模块(LRAM) | 64b | 8,640 |
| Max (kb) (1) | 540 | |
| DSP | 18b*18b (2) | 360 |
| PLL | 13 | |
| OSC | RC | 1 |
| MCU | Cortex-M3 | 1 |
| UART | 3 | |
| I2C | 3 | |
| SPI | 3 | |
| GPIO | 2 | |
| Timer | 2 | |
| WDG | 1 | |
| DMA | 1 | |
| SRAM | I Cache | 16KB |
| D Cache | 16KB | |
| 4K*32b | 2 | |
| Total (KB) | 64 | |
| DDR | Hard DDR3/4,LPDDR3 | 2x16b |
| eFuse | 256b | 1 |
| 封装(单位: mm) | 最大用户I/O（LVDS对） | |
| FBGA676 (27.00×27.00×2.20, 1.0 pitch) | 12对HP | |
| VFBGA324 (15.00×15.00×1.30, 0.8 pitch) | TBD | |
注意：
4、无硬FIFO
5、2个18*18可以实现35*35，1个18*18可以实现4个10*10
| 标题 | 版本 | 发布日期 | 文件格式 |
| HME-P3 系列 FPGA 简页 | 2024-07-01 |
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HME - P3（1）